2020年第三代寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展在線(xiàn)技術(shù)論壇

5月20日下午14:00 ---16:00

主辦：

中國電子信息博覽會(huì )（CITE2020）

協(xié)辦：

上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì )

《中國電子商情》雜志社

演講題目：“Faster, Cooler, Tougher”——第三代半導體的機遇和挑戰

演講嘉賓：上海瞻芯電子科技有限公司創(chuàng )始人兼總經(jīng)理，張永熙博士

演講摘要

以GaN和SiC為代表的寬禁帶（暨第三代）半導體材料開(kāi)始在射頻和功率領(lǐng)域挑戰Si材料的統治地位；“更快、更酷、更強悍”已經(jīng)成為第三代半導體器件走向市場(chǎng)所展現出的獨特優(yōu)勢，本次講座將從材料、工藝、器件、應用幾個(gè)方面，著(zhù)重介紹GaN和SiC在功率半導體領(lǐng)域所存在的挑戰和機遇。

張永熙博士于2017年7月創(chuàng )辦了上海瞻芯電子科技有限公司，專(zhuān)注于碳化硅功率器件芯片和驅動(dòng)芯片的產(chǎn)業(yè)化。張博士2000年從復旦大學(xué)碩士畢業(yè)后，加入上海貝嶺，歷任工藝工程師、注入工程部經(jīng)理和4英寸產(chǎn)線(xiàn)的廠(chǎng)長(cháng)。而后，從2003年到2008年于新澤西州立大學(xué)（Rutgers University）獲得博士學(xué)位，研發(fā)了世界上第一款碳化硅功率集成電路。2008年到2017年就職于美國德州儀器（TI）模擬技術(shù)研發(fā)部，擔任功率器件和工藝集成工程師，于2016年年底入選高級主任工程師Senior Member Technical Staff（SMTS，占工程師總數比例6%）。專(zhuān)長(cháng)LDMOS和VDMOS等核心功率器件設計和工藝集成，先后量產(chǎn)了多代BCD工藝技術(shù)。發(fā)表論文18篇，獲得美國發(fā)明專(zhuān)利16項、中國發(fā)明專(zhuān)利4項。

演講題目：安森美半導體SiC方案應用于太陽(yáng)能逆變器電源及電動(dòng)汽車(chē)充電樁等

演講嘉賓：安森美半導體標準產(chǎn)品部工程師 袁光明

演講摘要

現代可再生能源、電動(dòng)/混動(dòng)汽車(chē)、服務(wù)器和工業(yè)電源等高要求的應用提出了具挑戰性的高能效和功率密度目標，碳化硅(SiC) 方案提供超越硅方案的性能優(yōu)勢，安森美半導體提供獨一無(wú)二的SiC生態(tài)系統，包括SiC二極管、SiC MOSFET、SiC驅動(dòng)器及集成模塊，乃至廣泛的資源和工具，簡(jiǎn)化和加速設計流程，如SPICE模型，幫助設計人員在仿真中實(shí)現其應用性能而無(wú)需昂貴的測量周期。本次研討會(huì )將介紹安森美半導體的SiC 生態(tài)系統及顛覆性的SPICE建模，以及SiC用于太陽(yáng)能及可再生能源、電動(dòng)/混動(dòng)汽車(chē)充電樁、服務(wù)器和工業(yè)應用的方案。

袁光明(Jerry Yuan)先生是安森美半導體標準產(chǎn)品部的工程師，畢業(yè)于華南理工大學(xué)并獲得碩士學(xué)位。袁先生畢業(yè)后一直在半導體行業(yè)工作，擁有超過(guò)13年成功的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)及技術(shù)支持經(jīng)驗。